• Produktbild: MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch
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Band 122 - 11%

MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

23.08.2016

Abbildungen

XV, 199 p. 55 illus., 45 illus. in color.

Verlag

Springer

Seitenzahl

199

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,2 cm

Gewicht

335 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 2014

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-319-34535-2

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Taschenbuch

Erscheinungsdatum

23.08.2016

Abbildungen

XV, 199 p. 55 illus., 45 illus. in color.

Verlag

Springer

Seitenzahl

199

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,2 cm

Gewicht

335 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 2014

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-319-34535-2

Herstelleradresse

Springer-Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Introduction.- Design of Double-Pole Four-Throw RF Switch.- Design of Double-Gate MOSFET.- Double-Pole Four-Throw RF Switch Based on Double-Gate MOSFET.- Cylindrical Surrounding Double-Gate RF MOSFET.- Hafnium Dioxide Based Double-Pole Four-Throw Double-Gate RF CMOS Switch.- Testing of MOSFET Surfaces Using Image Acquisition.- Conclusions and Future Scope.