• Produktbild: MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch
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Band 122 - 12%

MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

18.10.2013

Abbildungen

XV, 199 p. 55 illus., 45 illus. in color.

Verlag

Springer

Seitenzahl

199

Maße (L/B/H)

24,1/16/1,7 cm

Gewicht

494 g

Auflage

2014

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-319-01164-6

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Erscheinungsdatum

18.10.2013

Abbildungen

XV, 199 p. 55 illus., 45 illus. in color.

Verlag

Springer

Seitenzahl

199

Maße (L/B/H)

24,1/16/1,7 cm

Gewicht

494 g

Auflage

2014

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-319-01164-6

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Introduction.- Design of Double-Pole Four-Throw RF Switch.- Design of Double-Gate MOSFET.- Double-Pole Four-Throw RF Switch Based on Double-Gate MOSFET.- Cylindrical Surrounding Double-Gate RF MOSFET.- Hafnium Dioxide Based Double-Pole Four-Throw Double-Gate RF CMOS Switch.- Testing of MOSFET Surfaces Using Image Acquisition.- Conclusions and Future Scope.