Produktbild: Emerging Non-Volatile Memories
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Emerging Non-Volatile Memories

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

22.09.2016

Abbildungen

XII, 273 p. 156 illus., 112 illus. in color.

Herausgeber

Seungbum Hong + weitere

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

273

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,5 cm

Gewicht

493 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 2014

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4899-7930-8

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

22.09.2016

Abbildungen

XII, 273 p. 156 illus., 112 illus. in color.

Herausgeber

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

273

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,5 cm

Gewicht

493 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 2014

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4899-7930-8

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Part I: Ferroic Memories.- Review of the Science and Technology for Low and High-density Non-volatile Ferroelectric Memories.- Hybrid CMOS/magnetic memories (MRAM) and logic circuits.- Emerging Multi-Ferroic Memories.- Part II: Resistance and Phase Change Memories.- Phase-Change Materials for Data Storage Applications.- Emerging Oxide Resistance Change Memories.- Oxide based memristive nanodevices.- Part III: Probe Memories.- Ferroelectric Probe Storage Devices.