Emerging Non-Volatile Memories
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Sprache:Englisch
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inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsdatum
19.11.2014
Abbildungen
XII, 273 p. 156 illus., 112 illus. in color.
Herausgeber
Seungbum Hong + weitereVerlag
Springer UsSeitenzahl
273
Maße (L/B/H)
24,1/16/2,2 cm
Gewicht
600 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-1-4899-7536-2
This book is an introduction to the fundamentals of emerging non-volatile memories and provides an overview of future trends in the field. Readers will find coverage of seven important memory technologies, including Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), Ferromagnetic RAM (FMRAM), Multiferroic RAM (MFRAM), Phase-Change Memories (PCM), Oxide-based Resistive RAM (RRAM), Probe Storage, and Polymer Memories. Chapters are structured to reflect diffusions and clashes between different topics. Emerging Non-Volatile Memories is an ideal book for graduate students, faculty, and professionals working in the area of non-volatile memory.
This book also:
Covers key memory technologies, including Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), Ferromagnetic RAM (FMRAM), and Multiferroic RAM (MFRAM), among others.
Provides an overview of non-volatile memory fundamentals.
Broadens readers’ understanding of future trends in non-volatile memories.
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