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Electrothermal Analysis of VLSI Systems

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96,99 € UVP 109,99 €

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

20.04.2013

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

210

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,4 cm

Gewicht

371 g

Auflage

2002

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4757-7373-6

Beschreibung

Rezension

From the Foreword:

`
Continuing increases in the levels of circuit integration and concomitant increases in performance are sustaining the trend of increasing power dissipation in VLSI systems. A consequence is that the impact of temperature on the successful operation and reliability of devices must be comprehended during the design process.....This text provides a comprehensive formulation of the electrothermal analysis problem beginning with a summary of the sources of power dissipation in CMOS circuits and followed by a formulation of the effect of temperature on MOS devices.
'

Dr. Ralph K. Cavin, Vice President, Semiconductor Research Corporation

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Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

20.04.2013

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

210

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,4 cm

Gewicht

371 g

Auflage

2002

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4757-7373-6

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: GPSR Kontakt

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  • List of Figures. List of Tables. Preface. Acknowledgments. Part I: The Building Blocks. 1. Introduction. 2. Power Analysis for CMOS Circuits. 3. Temperature-Dependent MOS Device Modeling. 4. Thermal Simulation for VLSI Systems. 5. Fast-Timing Electrothermal Simulation. Part II: The Applications. 6. Temperature-Dependent Electromigration Reliability. 7. Temperature-Driven Cell Placement. 8. Temperature Driven Power and Timing Analysis. Index.