Gutscheinbedingungen

**Gültig bis 14.09.2026 auf Spielzeug, Schreibwaren, Filme, Geschenke & Trends, Musik, tolino eReader & Zubehör, Hörbücher, nicht preisgebundene Bücher und Kalender in der Thalia App. Einzelne Artikel können ausgeschlossen sein. Aufgrund der Buchpreisbindung sind deutschsprachige Bücher und eBooks ausgenommen. Zusätzlich ausgenommen sind Abos & Flatrates, Games, Geschenkkarten/-boxen, Shelfies, Software, Zeitschriften sowie einzelne Artikel von tonies®. Pro Einkauf einmal einlösbar. Nur gültig mit im Onlineshop hinterlegter Bonuscard. Click & Collect nur bei Onlinevorabzahlung möglich. Keine Barauszahlung. Nicht kombinierbar mit anderen Aktionen und Gutscheinen. Gutschein wird auf max. 500€ Bestellwert angerechnet. Nicht gültig für Versandkosten und Services.

Produktbild: Silicon Carbide Power Devices
- 13%

Silicon Carbide Power Devices Characteristics, Test and Application

13% sparen

152,99 € UVP 175,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

01.09.2025

Abbildungen

XL, 663 p. 645 illus., 576 illus. in color.

Verlag

Springer Singapore

Seitenzahl

663

Maße (L/B/H)

24,1/16/4,1 cm

Gewicht

1335 g

Auflage

1. Auflage

Sprache

Englisch

ISBN

978-981-9634-79-8

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

01.09.2025

Abbildungen

XL, 663 p. 645 illus., 576 illus. in color.

Verlag

Springer Singapore

Seitenzahl

663

Maße (L/B/H)

24,1/16/4,1 cm

Gewicht

1335 g

Auflage

1. Auflage

Sprache

Englisch

ISBN

978-981-9634-79-8

Herstelleradresse

Springer-Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

Noch keine Bewertungen vorhanden

Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel

Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.

Kundinnen und Kunden meinen

Bewertungen (0)

  • Produktbild: Silicon Carbide Power Devices

  • Fundamentals of Power Semiconductor Devices.- SiC Diode Main Characteristics.- Interpretation, Testing, and Application of SiC MOSFET Parameters.- Comparison of SiC and Si Device Characteristics.- Double-Pulse Test.- SiC Device Testing and Failure Analysis Techniques.- High d
    i
    /d
    t
    Effects and Countermeasures - Turn-off Voltage Overshoot.- Effects and Mitigation of High d
    v
    /d
    t
    - Crosstalk.- Impact and Countermeasures of High d
    v
    /d
    t
    - Common Mode Current.- Effects and Countermeasures of Common Source Inductance.- Drive Circuit.- Main Applications of SiC Devices.