Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen Simulation mit PSPICE
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Sprache:Deutsch
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Auflage:4. Auflage 2024
- 4. Auflage 2024 36,50 € ausgewählt
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36,50 €
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
09.05.2024
Abbildungen
XI, mit 271 Amit 14 Abbildungengen, 14 Abb. in Farbe.
Verlag
Springer Fachmedien Wiesbaden GmbHSeitenzahl
251
Maße (L/B/H)
24/16,8/1,5 cm
Gewicht
449 g
Auflage
4. Auflage 2024
Sprache
Deutsch
ISBN
978-3-658-43820-3
Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms ORCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit PSPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird ausgeführt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler. In einem neuen Abschnitt werden Streuparameter-Analysen zum bipolaren HF-Transistor vorgenommen. Behandelt wird ferner die Ermittlung der Modellparameter von Sensoren zur Erfassung von Temperatur, Licht, Feuchte, Kraft, Schall, Gaskonzentration und pH-Wert. Das abschließende neue Kapitel widmet sich der Parameterextraktion von multikristallinen, monokristallinen und Dünnschicht-Silizium-Solarzellen.
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