Defekte in III-V Halbleitermaterialien des GaInAsP-Systems
-
- Deutsch ausgewählt
87,50 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
17.10.2023
Herausgeber
Freiburg/Brsg. Fraunhofer ISEVerlag
Fraunhofer VerlagSeitenzahl
130
Maße (L/B)
21/14,8 cm
Auflage
1. Auflage
Sprache
Deutsch
ISBN
978-3-8396-1939-1
In dieser Arbeit wurden Untersuchungen zu Materialeigenschaften der dabei verwendeten III-V Halbleiterverbindungen durchgeführt. Insbesondere wurde die GaAs-Wachstumsrate mittels MOVPE von 4 auf 280 µm/h erhöht, wodurch der Solarzellenabsorber in unter 2 statt über 45 Minuten abgeschieden werden konnte. Eine mit 100 µm/h abgeschiedene GaAs-Solarzelle erreichte fast 96 % der Effizienz einer langsam gewachsenen Referenz. Zusätzlich wurde die Eignung von GaInAsP als Material für Weltraumsolarzellen untersucht, wobei sich n-GaInAsP mit hohem InP-Gehalt als vielversprechend herausgestellt hat.
Noch keine Bewertungen vorhanden
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.
Kurze Frage zu unserer Seite
Vielen Dank für Ihr Feedback
Wir nutzen Ihr Feedback, um unsere Produktseiten zu verbessern. Bitte haben Sie Verständnis, dass wir Ihnen keine Rückmeldung geben können. Falls Sie Kontakt mit uns aufnehmen möchten, können Sie sich aber gerne an unseren Kund*innenservice wenden.
zum Kundenservice