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Produktbild: 75th Anniversary of the Transistor
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75th Anniversary of the Transistor

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91,99 € UVP 105,90 €

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

01.08.2023

Herausgeber

Arokia Nathan + weitere

Verlag

John Wiley & Sons Inc

Seitenzahl

464

Maße (L/B/H)

25,6/17,6/2,8 cm

Gewicht

1139 g

Auflage

1. Auflage

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-394-20244-7

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

01.08.2023

Herausgeber

Verlag

John Wiley & Sons Inc

Seitenzahl

464

Maße (L/B/H)

25,6/17,6/2,8 cm

Gewicht

1139 g

Auflage

1. Auflage

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-394-20244-7

EU-Ansprechpartner

Zeitfracht Medien GmbH
Ferdinand-Jühlke-Straße 7
99095 Erfurt
DE
produktsicherheit@zeitfracht.de

Herstelleradresse

Wiley & Sons
1 Oldlands Way
PO22 9NQ Bognor Regis
GB
trade@wiley.com

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  • Produktbild: 75th Anniversary of the Transistor
  • Editor Biography xiii
     
    Preface xv
     
    1 The First Quantum Electron Device 1
    Leo Esaki
     
    2 IEEE Electron Devices Society: A Brief History 3
    Samar K. Saha
     
    2.1 Introduction 3
     
    2.2 Origins of EDS 4
     
    2.3 Growth of EDS 6
     
    2.4 Publications 10
     
    2.5 Conferences 12
     
    2.6 Awards and Recognition 14
     
    2.7 Conclusion 14
     
    3 Did Sir J.C. Bose Anticipate the Existence of p- and n-Type Semiconductors in His Coherer/Detector Experiments? 17
    Prasanta Kumar Basu
     
    3.1 Introduction 17
     
    3.2 J.C. Bose: A Brief Biography 18
     
    3.3 Bose's Work on Detectors 19
     
    3.4 Mott's Remark 21
     
    3.5 Understanding Semiconductors and Doping 21
     
    3.6 Interpretation of Mott's Remark 23
     
    3.7 Conclusion 25
     
    4 The Point-Contact Transistor: A Revolution Begins 29
    John M. Dallesasse and Robert B. Kaufman
     
    4.1 Introduction 29
     
    4.2 Background and Motivation 30
     
    4.3 Inventors' Understanding How a Point-Contact Transistor Operates 31
     
    4.4 Recreating the Point-Contact Transistor 33
     
    4.5 Concluding Remarks 40
     
    5 On the Shockley Diode Equation and Analytic Models for Modern Bipolar Transistors 43
    T. H. Ning
     
    5.1 Introduction 43
     
    5.2 Adaptation of Shockley Diode Equation to Modern Bipolar Transistors 45
     
    5.3 Modern Bipolar Transistors Structures 46
     
    5.4 Analytic Models for Modern Bipolar Transistors 48
     
    5.5 Discussion 49
     
    6 Junction-Less Field Effect Transistors: The First Transistor to be Conceptualized 51
    Mamidala Jagadesh Kumar and Shubham Sahay
     
    6.1 Introduction 51
     
    6.2 Structure and Operation 52
     
    6.3 Salient Features of JLFETs 55
     
    6.4 Challenges for JLFETs 58
     
    6.5 Unconventional Applications of JL Architecture 59
     
    6.6 Conclusions 61
     
    7 The First MOSFET Design by J. Lilienfeld and a Long Journey to Its Implementation 65
    Hiroshi Iwai
     
    7.1 Introduction 65
     
    7.2 Demand for the Development of the Solid-State Amplifier and Its Difficulty 66
     
    7.3 Grid-Inserted MESFETs 68
     
    7.4 Lilienfeld Patents for the MESFET and MOSFET 69
     
    7.5 Necessary Conditions for Successful MOSFET Operation, and MOSFET Development Chronology 72
     
    7.6 Status of the Semiconductor Physics at the Lilienfeld Period (in the 1920s) and Thereafter 73
     
    7.7 Improvement of Si and Ge Material Quality and Discovery of the pn Junction in the 1940s 74
     
    7.8 H. Welker's MISFET with Inversion Channel in 1945 75
     
    7.9 Shockley's Group Study for MOSFET from 1945 to 1947 76
     
    7.10 Technology Development in the 1950s Until the Successful MOSFET Operation in 1960 79
     
    7.11 Success of MOSFET Operation by D. Kahng and M. Attala in 1960 81
     
    7.12 After the First Successful Operation of the MOSFET 82
     
    7.13 Summary and Conclusions 82
     
    8 The Invention of the Self-Aligned Silicon Gate Process 89
    Robert E. Kerwin
     
    9 The Application of Ion Implantation to Device Fabrication: The Early Days 95
    Alfred U. MacRae
     
    9.1 Introduction 95
     
    9.2 Device Fabrication 96
     
    9.3 Summary 99
     
    10 Evolution of the MOSFET: From Microns to Nanometers 101
    Yuan Taur
     
    10.1 Introduction 101
     
    10.2 The Early Days: Before 1980 102
     
    10.3 From 1980 to 2000 103
     
    10.4 The Latest: After 2000 109
     
    10.5 Conclusion 113
     
    11 The SOI Transistor 115
    Sorin Cristoloveanu
     
    11.1 The Beginnings 115
     
    11.2 The Renaissance 116
     
    11.3 The Smart-Cut Dynasty 119
     
    11.4 Special Mechanisms in F