The IGBT Device Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor
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Sprache:Englisch
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Verlag:Elsevier Science & Technology
151,99 €
UVP
174,80 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsdatum
02.12.2022
Verlag
Elsevier Science & TechnologySeitenzahl
802
Maße (L/B/H)
23,5/19,1/4,3 cm
Gewicht
1578 g
Auflage
2. Auflage
Sprache
Englisch
ISBN
978-0-323-99912-0
The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor, Second Edition provides the essential information needed by applications engineers to design new products using the device in sectors including consumer, industrial, lighting, transportation, medical and renewable energy. The IGBT device has proven to be a highly important Power Semiconductor, providing the basis for adjustable speed motor drives (used in air conditioning and refrigeration and railway locomotives), electronic ignition systems for gasoline powered motor vehicles and energy-saving compact fluorescent light bulbs.
The book presents recent applications in plasma displays (flat-screen TVs) and electric power transmission systems, alternative energy systems and energy storage, but it is also used in all renewable energy generation systems, including solar and wind power. This book is the first available on the applications of the IGBT. It will unlock IGBT for a new generation of engineering applications, making it essential reading for a wide audience of electrical and design engineers, as well as an important publication for semiconductor specialists.
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