Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
01.04.2022
Verlag
Verlag Unser WissenSeitenzahl
60
Maße (L/B/H)
22/15/0,5 cm
Gewicht
107 g
Auflage
1. Auflage
Sprache
Deutsch
ISBN
978-620-4-59998-4
Die in integrierten Schaltkreisen hergestellten Feldeffekttransistoren (FETs) bestehen zum größten Teil aus Übergängen. Aufgrund der Verkleinerung der Bauteile ist die Herstellung dieser Übergänge immer schwieriger geworden. Außerdem ist für das reibungslose Funktionieren des Bauelements ein hoher Dotierungskonzentrationsgradient zwingend erforderlich. In letzter Zeit konzentrieren sich die Forscher auf neue Bauelemente, die ohne Übergänge auskommen und keinen Dotierungsgradienten erfordern. Eine solche Struktur ist der übergangslose Doppel-Gate-MOSFET (JL-DG MOSFET), der eine verbesserte Leistung gegenüber Kurzkanaleffekten, d.h. Drain-induzierter Barrierensenkung (DIBL), Schwellenspannungsänderungen usw., gezeigt hat.
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