Spacer Engineered FinFET Architectures High-Performance Digital Circuit Applications
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Produktdetails
Format
Kopierschutz
Ja
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Nein
Text-to-Speech
Nein
Erscheinungsdatum
26.06.2017
Verlag
Taylor & Francis eBooksSeitenzahl
154 (Printausgabe)
Dateigröße
17204 KB
Sprache
Englisch
EAN
9781351751049
This book focusses on the spacer engineering aspects of novel MOS-based device-circuit co-design in sub-20nm technology node, its process complexity, variability, and reliability issues. It comprehensively explores the FinFET/tri-gate architectures with their circuit/SRAM suitability and tolerance to random statistical variations.
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