Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect
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Sprache:Englisch
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsdatum
18.09.2017
Abbildungen
XVIII, 103 illus., schwarz-weiss Illustrationen
Verlag
Springer SingaporeSeitenzahl
137
Maße (L/B/H)
24,1/16/1,5 cm
Gewicht
407 g
Auflage
1st edition 2018
Sprache
Englisch
ISBN
978-981-10-6164-6
This thesis addresses selected unsolved problems in the chemical mechanical polishing process (CMP) for integrated circuits using ruthenium (Ru) as a novel barrier layer material. Pursuing a systematic approach to resolve the remaining critical issues in the CMP, it first investigates the tribocorrosion properties and the material removal mechanisms of copper (Cu) and Ru in KIO 4 -based slurry. The thesis subsequently studies Cu/Ru galvanic corrosion from a new micro and in-situ perspective, and on this basis, seeks ways to mitigate corrosion using different slurry additives. The findings presented here constitute a significant advance in fundamental and technical investigations into the CMP, while also laying the groundwork for future research.
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