Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices
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Produktdetails
Format
Kopierschutz
Ja
Family Sharing
Nein
Text-to-Speech
Nein
Erscheinungsdatum
03.11.2016
Verlag
Taylor & Francis eBooksSeitenzahl
392 (Printausgabe)
Dateigröße
41153 KB
Sprache
Englisch
EAN
9781498745130
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.
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