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Produktbild: Silicon-based Nanomaterials
Band 187

Silicon-based Nanomaterials

144,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

23.08.2016

Abbildungen

XII, 409 p. 279 illus., 178 illus. in color.

Herausgeber

Handong Li + weitere

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

409

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/2,3 cm

Gewicht

639 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 2013

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4939-5499-5

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

23.08.2016

Abbildungen

XII, 409 p. 279 illus., 178 illus. in color.

Herausgeber

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

409

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/2,3 cm

Gewicht

639 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 2013

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4939-5499-5

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

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  • Produktbild: Silicon-based Nanomaterials
  • Preface.- Chapter 1: Porous Silicon as Anode Material for Lithium Ion Batteries.- Chapter 2: The development of Si and Ge-based nanomaterials for high performance lithium ion battery anodes.- Chapter 3: Light Trapping in Coaxial Nanowires  of c-Si Cores and a-Si Shells.- Chapter 4: Applications of Ordered Si Nanowire Array to Solar Energy Harvesting and NEMS.- Chapter 5: Synchrotron-excited photoluminescence spectroscopy of silicon- and carbon-containing quantum dots in low dimensional SiO2 matrices.- Chapter 6: Silicon nanoparticles-based light emitting capacitors.- Chapter 7: Electronic and Optical Properties of Silicon Carbide Nanostructures.- Chapter 8: Plasma Enabled Fabrication of Silicon Carbide Nanostructures.- Chapter 9: Catalyst-free chemical vapor deposition for synthesis of SiC nanowires with controlled morphology.- Chapter 10: Adhesion and Indentation fracture behavior of Silicon carbonitride nanocomposite coatings deposited by Magnetron sputtering.- Chapter 11: Impact of Defects and Doping on Electron Transport in SiCNTs.- Chapter 12: Synthesis, Properties and Applications of One-Dimensional Transition Metal Silicide Nanostructures.- Chapter 13:Integration of strain free III-V quantum dots on silicon.- Chapter 14: III-V Quantum-Dot Materials and Devices Monolithically Grown on Si Substrates.- Chapter 15: Cubic GaN on Nano-patterned 3C-SiC/Si (001) Substrates.- Index.