Produktbild: Rare-Earth Doped III-Nitrides for Optoelectronic and Spintronic Applications
Band 124

Rare-Earth Doped III-Nitrides for Optoelectronic and Spintronic Applications

142,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

02.11.2014

Herausgeber

Kevin Peter O'Donnell + weitere

Verlag

Springer Netherland

Seitenzahl

355

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/2,1 cm

Gewicht

563 g

Auflage

2010

Sprache

Englisch

ISBN

978-94-017-8472-6

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

02.11.2014

Herausgeber

Verlag

Springer Netherland

Seitenzahl

355

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/2,1 cm

Gewicht

563 g

Auflage

2010

Sprache

Englisch

ISBN

978-94-017-8472-6

Herstelleradresse

Springer-Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • 1.Introduction and overview. Kevin O’DONNELL, Strathclyde, UK.
    2.Theoretical background. Robert JONES, Exeter and Benjamin HOURAHINE, Strathclyde, UK.
    3.In-situ doping of MBE III-N: RE epilayers. Andrew STECKL and John ZAVADA, Nanolab Cincinatti, USA.
    4.RE implantation and annealing of III-Nitrides. Katharina LORENZ and Eduardo ALVEZ, ITN Lisbon, Portugal.
    5.Lattice location studies of RE impurities in III-Nitrides. Andre VANTOMME, IKS Leuven, Belgium.
    6.Microscopic characterisation of luminescent III-N:RE epilayers. Robert MARTIN, Strathclyde, UK
    7.High-resolution optical studies of site multiplicity in III-N:RE. Volkmar DIEROLF, Lehigh, USA.
    8.RE-doped III-N quantum dots. Bruno DAUDIN, Grenoble, France.
    9.Excitation model for RE ions in solids. Alain BRAUD and Pierre RUTERANA, Caen, France.
    10.III-N:RE electroluminescence. Andrew STECKL and John ZAVADA, Nanolab Cincinatti, USA.
    11.RE-doped III-N for spintronics applications. Oliver BRANDT, PDI Berlin, Germany.
    12.Summary and prospects for future work. Kevin O’DONNELL, Strathclyde, UK.