Subthreshold Surface Potential Model for Short-Channel Mosfet Using Pseudo 2d Analysis
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UVP
37,00 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
27.02.2014
Verlag
LAP LAMBERT Academic PublishingSeitenzahl
84
Maße (L/B/H)
22/15/0,6 cm
Gewicht
143 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-659-12609-3
As a result of aggressive downscaling, short-channel effects (SCEs) become a major threat for future downscaling especially in the sub-100nm region. In order to extend the International Technology Road-map for Semiconductors (ITRS) road-map beyond 100nm, Double-Gate (DG) MOSFET evinces himself as a major promising candidate due to its higher scaling capability. In this book, modelling using a pseudo- two-dimensional (2D) analysis was presented to explore the effect of scaling especially for subthreshold characteristics of short-channel DG and conventional single gate MOSFET.
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