Vor Ort
Merkzettel Warenkorb
Produktbild: Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits
Band 62

Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits

Aus der Reihe NATO Science Series E:

49,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

09.10.2011

Herausgeber

P. Antognetti + weitere

Verlag

Springer Netherland

Seitenzahl

636

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/3,4 cm

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1983

Sprache

Englisch

ISBN

978-94-009-6844-8

Beschreibung

Rezension

`
...this book is an extremely valuable collection on the crucial issues in numerical modeling of VLSI fabrication processes and devices, which will be useful to a large number of readers with diverse backgrounds.
'

American Scientist, 73 (1983)

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

09.10.2011

Herausgeber

Verlag

Springer Netherland

Seitenzahl

636

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/3,4 cm

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1983

Sprache

Englisch

ISBN

978-94-009-6844-8

Herstelleradresse

Springer-Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

Noch keine Bewertungen vorhanden

Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel

Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.

Kundinnen und Kunden meinen

Bewertungen (0)
  • Produktbild: Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits
  • Diffusion in Silicon.- Thermal Oxidation: Kinetics, Charges, Physical Models, and Interaction with Other Processes in VLSI Devices.- The Use of Chlorinated Oxides and Intrinsic Gettering Techniques for VLSI Processing.- Ion Implantation.- Beam Annealing of Ion Implanted Silicon.- Materials Characterization.- Modeling of Polycrystalline Silicon Structures for Integrated Circuit Fabrication Processes.- Two-Dimensional Process Simulation — Supra.- Numerical Simulation of Impurity Redistribution Near Mask Edges.- Optical and Deep UV Lithography.- Wafer Topography Simulation.- Analyses of Nonplanar Devices.- Two Dimensional MOS-Transistor Modeling.- Fielday — Finite Element Device Analyses.