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Produktbild: Frontiers in Electronics: Selected Papers from the Workshop on Frontiers in Electronics 2011 (Wofe-11)

Frontiers in Electronics: Selected Papers from the Workshop on Frontiers in Electronics 2011 (Wofe-11)

115,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

30.08.2013

Herausgeber

Sorin Cristoloveanu + weitere

Verlag

World Scientific Publishing

Seitenzahl

272

Maße (L/B/H)

22,9/15,2/2,3 cm

Gewicht

576 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-981-4536-84-4

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Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

30.08.2013

Herausgeber

Verlag

World Scientific Publishing

Seitenzahl

272

Maße (L/B/H)

22,9/15,2/2,3 cm

Gewicht

576 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-981-4536-84-4

Herstelleradresse

Libri GmbH
Europaallee 1
36244 Bad Hersfeld
DE

Email: gpsr@libri.de

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  • Levy Flight of Holes in InP Semiconductor Scintillator (S Luryi and A Subashiev); InAs1-xSbx Alloys with Native Lattice Parameters Grown on Compositionally Graded Buffers: Structural and Optical Properties (D Wang, D Donetsky, Y Lin, G Kipshidze, L Shterengas, G Belenky, W L Sarney and S P Svensson); High-Performance Interband Cascade Lasers for λ = 3-4.5 μm (M W W Bewley, C S Kim, M Kim, I Vurgaftman, C L Canedy, J R Lindle, J Abell and J R Meyer); GaN Based 3D Core-Shell LEDs (X Wang, S Li, S Fundling, J Wei, M Erenburg, J Ledig, H H Wehmann, A Waag, W Bergbauer, M Mandl, M Strassburg and U Steegmuller); Progress in SiC Materials/Devices and Their Competition (D K Schroder); Performance and Applications of Deep UV LED (M Shatalov, A Lunev, X Hu, O Bilenko, I Gaska, W Sun, J Yang, A Dobrinsky, Y Bilenko, R Gaska and M Shur); Ordered GaN/InGaN Nanorods Arrays Grown by Molecular Beam Epitaxy for Phosphor-Free White Light Emission (S Albert, A Bengoechea-Encabo, M A Sanchez-Garcia, F Barbagini, E Calleja, E Luna, A Trampert, U Jahn, P Lefebvre, L L Lopez, S Estrade, J M Rebled, F Peiro, G Nataf, P de Mierry and J Zuniga-Perez); Catalyst-Free GaN Nanowires as Nanoscale Light Emitters (K Bertness, N Sanford, J Schlager, A Roshko, T Harvey, P Blanchard, M Brubaker, A Herrero and A Sanders); Recessed-Gate Normally-Off GaN MOSFET Technologies (K-S Im, K-W Kim, D-S Kim, H-S Kang, D-K Kim, S-J Chang, Y-H Bae, S-H Hahm, S Cristoloveanu and J-H Lee); Silicon-on-Insulator MESFETs at the 45nm Node (W Lepkowski, S J Wilk, M R Ghajar, A Parsi and T J Thornton); Advanced Concepts for Floating-Body Memories (F Gamiz, N Rodriguez and S Cristoloveanu); Plasmonic-Based Devices for Optical Communications (D K Mynbaev and V Sukharenko); Spintronic Devices and Circuits for Low-Voltage Logic (D H Morris, D M Bromberg, J-G (Jimmy) Zhu and L Pileggi); Biomolecular Field Effect Sensors (bioFETs): From Qualitative Sensing to Multiplexing, Calibration and Quantitative Detection from Whole Blood (A Vacic and M A Reed); Theoretical Investigation of Intraband, Infrared Absorbance in Inorganic/Organic Nanocomposite Thin Films with Varying Colloidal Quantum Dot Surface Ligand Materials (K R Lantz and A D Stiff-Roberts).