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Produktbild: Halbleiterbauelemente

Halbleiterbauelemente

Aus der Reihe Leitfaden der Elektrotechnik

39,90 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

26.11.2012

Abbildungen

X, 43 Abbildungen mit 11 Tafeln, 36 Beispiele.

Verlag

Vieweg & Teubner

Seitenzahl

426

Maße (L/B/H)

24,4/17/2,4 cm

Gewicht

760 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1992

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-322-99981-8

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

26.11.2012

Abbildungen

X, 43 Abbildungen mit 11 Tafeln, 36 Beispiele.

Verlag

Vieweg & Teubner

Seitenzahl

426

Maße (L/B/H)

24,4/17/2,4 cm

Gewicht

760 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1992

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-322-99981-8

Herstelleradresse

Vieweg+Teubner Verlag
Abraham-Lincoln-Straße 46
65189 Wiesbaden
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Produktbild: Halbleiterbauelemente
  • 1 Übergänge zwischen Halbleitern, Metallen und Isolatoren.- 1.1 Der einfache pn-Übergang.- 1.1.1 Der stromlose idealisierte pn-Übergang.- 1.1.2 Der gleichstromdurchflossene idealisierte pn-Übergang.- 1.1.2.1 Die Strom-Spannungs-Charakteristik.- 1.1.2.2 Die Termperaturabhängigkeit.- 1.1.3 Abweichungen bei realen pn-Übergängen.- 1.1.3.1 Generation und Rekombination in der Raumladungszone.- 1.1.3.2 Oberflächenrekombination.- 1.1.3.3 Verhalten bei großen Strömen.- 1.1.3.4 Durchbruchserscheinungen.- 1.1.4 Der wechselstromdurchflossene pn-Übergang.- 1.1.4.1 Kleinsignalverhalten.- 1.1.4.2 Großsignalverhalten.- 1.2 Der pin- und psn-Übergang.- 1.2.1 Die stationäre Strom-Spannungs-Charakteristik.- 1.2.2 Der wechselstromdurchflossene Übergang.- 1.2.2.1 Kleinsignalverhalten.- 1.2.2.2 Großsignalverhalten.- 1.3 Der Metall-Halbleiter-Übergang.- 1.3.1 Verarmungs- und Anreicherungs-Randschichten.- 1.3.2 Der gleichstromdurchflossene Schottky-Übergang.- 1.3.3 Der wechselstromdurchflossene Schottky-Übergang.- 1.4 Der Metall-Isolator-Halbleiter-Übergang.- 1.4.1 Bändermodell und Kapazität der idealen MIS-Struktur.- 1.4.2 Korrekturen für reale MIS-Strukturen.- 2 Dioden.- 2.1 Gleichrichter- und Mischdioden.- 2.1.1 Punktkontakt-Dioden. Spitzendiode. Golddrahtdiode.- 2.1.2 Die Rückwärtsdiode.- 2.1.3 Die Schottky-Diode.- 2.1.4 Leistungsgleichrichter.- 2.2 Z-Dioden.- 2.3 Schaltdioden.- 2.4 Varaktordioden.- 2.4.1 Sperrschicht-Varaktoren.- 2.4.2 Speicher-Varaktoren.- 2.4.3 MIS-Varaktoren.- 2.5 Die pin-Diode als HF-Varistor und -Schalter.- 2.6 Aktive Mikrowellen-Dioden.- 2.6.1 Die Lawinen-Laufzeit-Diode.- 2.6.2 Die Baritt-Diode.- 2.6.3 Das Gunn-Element.- 2.6.4 Die Tunneldiode.- 2.7 Lichtempfindliche Dioden.- 2.7.1 Empfangsdioden.- 2.7.1.1 Die Photodiode.- 2.7.1.2 Die Lawinen-Photodiode.- 2.7.1.3 Das Photoelement.- 2.7.2 Sendedioden.- 2.7.2.1 Lumineszenzdioden.- 2.7.2.2 Laserdioden.- 3 Feldeffekt-Transistoren.- 3.1 Das Funktionsprinzip. Typenübersicht.- 3.2 Der FET mit nicht-isolierender Steuerelektrode (NIGFET).- 3.2.1 Der Aufbau des inneren Transistors.- 3.2.2 Der gleichstromdurchflossene innere Transistor.- 3.2.2.1 Die Strom-Spannungs-Charakteristik.- 3.2.2.2 Kennlinienfelder, Kenngrößen für den dynamischen Betrieb und Kleinsignal-Ersatzschaltung.- 3.2.2.3 Die Temperaturabhängigkeit des Drainstromes.- 3.2.3 Korrekturen für reale pn- und MES-FETs. Der praktische Arbeitsbereich.- 3.2.4 Sonderbauformen.- 3.2.4.1 Der NIGFET mit Substratsteuerung.- 3.2.4.2 Der NIGFET mit zwei Gates (Dual-Gate FET, Tetrode).- 3.2.4.3 Der MESFET mit verbesserten HF-Eigenschaften.- 3.3 Der FET mit isolierender Steuerelektrode (IGFET).- 3.3.1 Der Aufbau des inneren Transistors. Selbstsperrender und selbstleitender Typ.- 3.3.2 Der gleichstromdurchflossene innere Transistor.- 3.3.2.1 Die Strom-Spannungs-Charakteristik.- 3.3.2.2 Kennlinienfelder und dynamische Kenngrößen.- 3.3.2.3 Die Temperaturabhängigkeit des Drainstromes.- 3.3.3 Korrekturen für reale IGFETs. Vorsichtsmaßnahmen.- 3.3.4 Sonderbauformen.- 3.3.4.1 Der IGFET mit Substratsteuerung.- 3.3.4.2 Der IGFET mit zwei Gates (Dual-Gate MOS-FET, Tetrode).- 3.3.4.3 Der MOS-Leistungstransistor.- 4 Bipolartransistoren.- 4.1 Das Funktionsprinzip. Typenübersicht.- 4.2 Der Aufbau des inneren Transistors.- 4.3 Der gleichstromdurchflossene innere Transistor.- 4.3.1 Ladungsträgerverteilung und Potentialverlauf im Transistor mit homogen dotierter Basis.- 4.3.2 Die Strom-Spannungs-Charakteristiken.- 4.3.2.1 Die drei Schaltungsarten.- 4.3.2.2 Kenngrößen für den stationären Betrieb.- 4.3.2.3 Kennlinienfelder.- 4.3.2.4 Kenngrößen für den dynamischen Betrieb und Kleinsignal-Ersatzschaltung.- 4.3.2.5 Die Temperaturabhängigkeit des Kollektorstromes.- 4.4 Korrekturen für reale Transistoren.- 4.5 Der praktische Arbeitsbereich.- 4.6 Sonderbauformen.- 4.6.1 Der Hetero-Bipolartransistor (HBT).- 4.6.2 Der Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT).- 4.6.3 Der Permeable-Base Transistor (PBT).- 5 Thyristoren.- 5.1 Strom-Spannungs-Beziehungen für Vierschichtstrukturen.- 5.2 Thyristor-Dioden.- 5.2.1 Die rückwärtssperrende Diode.- 5.2.2 Die bidirektionale Diode (Diac).- 5.3 Thyristor-Trioden.- 5.3.1 Die rückwärtssperrende Thyristor-Triode (Thyristor).- 5.3.2 Vom Thyristor abgeleitete Bauelemente.- 5.4 Thyristor-Tetroden.- 1 Ergänzende Bücher und Tabellenwerke.- 2 Physikalische Konstanten.- 3 Formelzeichen.- 4 Erläuterungen wichtiger Begriffe.