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Band 13

Integrierte Bipolarschaltungen

Aus der Reihe Halbleiter-Elektronik

56,90 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

01.06.1980

Abbildungen

mit 61 Abbildungen

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

320

Maße (L/B/H)

22,9/15,2/1,8 cm

Gewicht

544 g

Auflage

1987

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-09607-8

Beschreibung

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Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

01.06.1980

Abbildungen

mit 61 Abbildungen

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

320

Maße (L/B/H)

22,9/15,2/1,8 cm

Gewicht

544 g

Auflage

1987

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-09607-8

Herstelleradresse

Springer-Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Produktbild: Integrierte Bipolarschaltungen
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  • Bezeichnungen und Symbole.- 1 Einleitung.- 2 Herstellung integrierter Schaltungen.- 2.1 Struktur einer integrierten Bipolarschaltung.- 2.2 Schritte bei Entwurf und Herstellung integrierter Schaltungen — eine Übersicht.- 2.3 Technologische Verfahren der Silizium-Planartechnik. Prozeßfolge.- 2.3.1 Fotolack-und Ätztechnik.- 2.3.2 Herstellung der Substratscheiben.- 2.3.3 Epitaxie.- 2.3.4 Dotierungsverfahren.- 2.3.4.1 Dotierungselemente in der Silizium-Planartechnik.- 2.3.4.2 Dotierungsverlauf in einem integrierten Transistor.- 2.3.4.3 Diffusion von Dotierungsatomen.- 2.3.4.4 Ionenimplantation.- 2.3.5 Herstellung von Siliziumdioxid-Schichten.- 2.3.6 Metallisierung.- 2.3.7 Prozeßfolge bei der Integration.- 2.4 Einige spezielle Isolationsverfahren.- 3 Elemente integrierter Schaltungen — Aufbau, Eigenschaften, Dimensionierung.- 3.1 Widerstände.- 3.1.1 Spezifischer Widerstand und Driftbeweglichkeit.- 3.1.2 Dimensionierung eines typischen integrierten Widerstandes.- 3.1.3 Weitere Widerstandsformen.- 3.1.4 Quantitativer Zusammenhang zwischen Schichtwiderstand und Dotierungsprofil. Messung des Schichtwiderstandes.- 3.2 Leiterbahnkreuzungen.- 3.3 Kondensatoren und parasitäre Kapazitäten.- 3.3.1 Berechnung der Sperrschichtkapazitäten.- 3.3.2 Ausführungsformen integrierter Kondensatoren.- 3.4 pn-Dioden.- 3.5 Schottky-Dioden.- 3.6 Integrierte Transistorstrukturen.- 3.6.1 Zusammenfassung mehrerer npn-Transistoren.- 3.6.2 pnp-Transistoren.- 3.7 Ersatzschaltbilder und Kenngrößen integrierter Transistoren.- 3.7.1 Transistorersatzschaltbilder.- 3.7.2 Einige wichtige Transistorparameter.- 3.7.2.1 Stromverstärkung.- 3.7.2.2 Durchlaßspannung der Basis-Emitter-Diode.- 3.7.2.3 Basisbahnwiderstand.- 3.7.2.4 Restspannung (Sättigungsspannung) und Kollektorbahnwiderstand.- 3.7.2.5 Transitfrequenz und Basislaufzeit.- 3.7.2.6 Sättigungszeitkonstante.- 3.7.2.7 Sperrschichtkapazitäten.- 3.7.3 Zahlenbeispiel zu den Transistorparametern.- 3.7.4 Dimensionierung des Transistors zur Vermeidung von Hochstromeffekten.- 3.7.5 Kompromisse bei der Wahl der Transistorparameter.- 4 Integrierte Digitalschaltungen.- 4.1 Die wichtigsten Kenngrößen digitaler Grundschaltungen.- 4.1.1 Logische Grundfunktionen.- 4.1.2 Übertragungskennlinie und Spannungspegel.- 4.1.3 Störabstände.- 4.1.4 Verlustleistung.- 4.1.5 Definition der Schaltzeiten.- 4.1.6 Gütemaß integrierter Digitalschaltungen (DP-Produkt).- 4.2 Der Transistorinverter als einfachste Digitalschaltung.- 4.2.1 Der gesättigte Transistorinverter.- 4.2.1.1 Spannungspegel und Kennlinien.- 4.2.1.2 Schaltverhalten.- 4.2.2 Der ungesättigte Transistorinverter mit Schottky-Diode.- 4.2.2.1 Vorbemerkung und Prinzip.- 4.2.2.2 Ausführung und Dimensionierung eines SD-Transistors.- 4.2.2.3 Vergleich der SD-Technik mit gesättigten Schaltungen.- 4.3 Direkt gekoppelte Transistorlogik (DCTL) und Widerstand-Transistor-Logik (RTL).- 4.4 Dioden-Transistor-Logik (DTL).- 4.4.1 Prinzipielle Funktionsweise und Grundschaltungen.- 4.4.2 DTL mit Schottky-Dioden.- 4.5 DTL mit hohem Störabstand.- 4.6 Transistor-Transistor-Logik (TTL).- 4.6.1 Prinzipielle Funktionsweise, Vergleich mit der DTL.- 4.6.2 Grundgatter der gesättigten Standardfamilie.- 4.6.2.1 NAND-Gatter mit offenem Kollektor am Ausgang.- 4.6.2.2 NAND-Gatter mit Gegentaktausgang.- 4.6.3 Maßnahmen zur Verbesserung der Eigenschaften des Gegentaktausgangs. Die „Tri-State-TTL“.- 4.6.4 „Interne“ TTL-Gatter.- 4.6.5 Ungesättigte TTL-Schaltungen mit Schottky-Dioden.- 4.6.6 Einige Daten verschiedener TTL-Familien.- 4.7 Stromschaltertechnik (ECL, E2CL u. a.).- 4.7.1 Der Stromschalter.- 4.7.2 Zwei wichtige Schaltungskonzepte der Stromschaltertechnik: ECL und E2CL.- 4.7.3 Leitungsansteuerung mit ECL- und E2CL-Schaltungen, Vergleich mit der TTL.- 4.7.4 Ein typisches ECL-Gatter.- 4.7.5 ECL mit verbesserter Spannungs- und Temperaturkompensation.- 4.7.6 Spezielle Schaltungsprinzipien der ECL.- 4.7.7 Einige Daten verschiedener ECL-Familien.- 4.7.8 ECL-Schaltungen mit kleiner Verlustleistung. Die rückgekoppelte ECL.- 4.8 Schaltkreistechniken und Systemkonzepte für hochintegrierte Logikbausteine.- 4.8.1 Technische Voraussetzungen für einen hohen Integrationsgrad.- 4.8.2 Grundgatter für hochintegrierte Schaltungen.- 4.8.3 Integrierte Injektionslogik (I2L bzw. MTL).- 4.8.3.1 Prinzip und grundlegende Eigenschaften.- 4.8.3.2 Realisierung logischer Funktionen.- 4.8.3.3 Ausgangsfächerung und Bedeutung der „Aufwärtsstromverstärkung“.- 4.8.3.4 Technologische Realisierung.- 4.8.3.5 Ein- und Ausgangsstufen.- 4.8.3.6 Verzögerungszeit eines I2L-Gatters.- 4.8.3.7 Maßnahmen zur Verringerung der Schaltzeit. I2L mit Schottky-Dioden.- 4.8.4 Eine grundlegende Bemerkung zum Leistungsverbrauch und zum tDP-Produkt bipolarer Digitalschaltungen.- 4.8.5 Systemkonzepte für hochintegrierte Logikbausteine.- 4.9 Bipolarspeicher.- 4.9.1 Vorbemerkung zu den Halbleiterspeichern.- 4.9.2 Lese/Schreib-Speicher.- 4.9.2.1 Aufbau eines Speicherchips.- 4.9.2.2 Speicherzellen.- 4.9.3 Festwertspeicher.- 4.9.3.1 Maskenprogrammierte Festwertspeicher (ROM).- 4.9.3.2 Elektrisch programmierbare Festwertspeicher (PROM).- 4.9.4 Daten einiger käuflicher Bipolarspeicher.- 5 Integrierte Analogschaltungen.- 5.1 Vorbemerkung.- 5.2 Das Transistorpaar, Offsetstrom und Offsetspannung.- 5.3 Stromspiegelschaltungen.- 5.3.1 Grundschaltung — Eigenschaften und Anwendungen.- 5.3.2 Modifizierte Stromspiegelschaltungen.- 5.4 Differenzverstärker.- 5.4.1 Differenzverstärker mit Emitterkopplung, Grundschaltung und Varianten.- 5.4.2 Differenzverstärker mit Basiskopplung.- 5.4.3 Differenzverstärker mit kleinen Eingangsruheströmen.- 5.5 Endstufen.- 5.6 Einfache Referenzspannungsschaltungen.- 5.7 Bandabstands-Referenz.- 5.8 Multiplizierer.- 5.9 Operationsverstärker.- 5.9.1 Idealer und realer Operationsverstärker.- 5.9.2 Schaltung und Eigenschaften eines typischen Operationsverstärkers.- 5.9.3 Weitere Typen von Operationsverstärkern.- 6 Anhang.