Halbleiter-Leistungsbauelemente Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit
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Sprache:Deutsch
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Verlag:Springer Berlin
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsdatum
07.11.2012
Abbildungen
XXII, 383 S. 298 Abb.
Verlag
Springer BerlinSeitenzahl
383
Maße (L/B/H)
24,6/17,3/2,8 cm
Gewicht
851 g
Auflage
2. Auflage 2012
Sprache
Deutsch
ISBN
978-3-642-29795-3
Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfähigkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst möglich. Da für deren Anwendung nicht nur die Vorgänge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren, MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerstörungsmechanismen und Störungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. Für den Systementwurf werden leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet.
Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenhänge bei Transistoren und Thyristoren präziser dar. Sie berücksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage.Ergänzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden.Noch keine Bewertungen vorhanden
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