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Ion Implantation and Synthesis of Materials

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

09.08.2006

Abbildungen

XIV, 131 illus., schwarz-weiss Illustrationen

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

263

Maße (L/B/H)

24,1/16/2,1 cm

Gewicht

588 g

Auflage

2006

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-540-23674-0

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Erscheinungsdatum

09.08.2006

Abbildungen

XIV, 131 illus., schwarz-weiss Illustrationen

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

263

Maße (L/B/H)

24,1/16/2,1 cm

Gewicht

588 g

Auflage

2006

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-540-23674-0

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

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  • General Features and Fundamental Concepts.- Particle Interactions.- Dynamics of Binary Elastic Collisions.- Cross-Section.- Ion Stopping.- Ion Range and Range Distribution.- Displacements and Radiation Damage.- Channeling.- Doping, Diffusion and Defects in Ion-Implanted Si.- Crystallization and Regrowth of Amorphous Si.- Si Slicing and Layer Transfer: Ion-Cut.- Surface Erosion During Implantation: Sputtering.- Ion-Induced Atomic Intermixing at the Interface: Ion Beam Mixing.- Application of Ion Implantation Techniques in CMOS Fabrication.- Ion implantation in CMOS Technology: Machine Challenges.