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Integrierte analoge Schaltungstechnik Technologie, Design, Simulation und Layout. Hrsg. v. Otto Mildenberger

Aus der Reihe Studium Technik

51,90 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

28.06.2000

Abbildungen

X, mit 203 Abbildungen 24 cm

Herausgeber

Otto Mildenberger

Verlag

Vieweg & Teubner

Seitenzahl

263

Maße (L/B/H)

24,4/17/1,5 cm

Gewicht

474 g

Auflage

2000

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-528-03860-1

Beschreibung

Rezension

"Vergleichbares, insbesondere in Bezug auf die Aktualität, ist nicht bekannt." (ekz, ID 9/01 vom 14.4.01)

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

28.06.2000

Abbildungen

X, mit 203 Abbildungen 24 cm

Herausgeber

Otto Mildenberger

Verlag

Vieweg & Teubner

Seitenzahl

263

Maße (L/B/H)

24,4/17/1,5 cm

Gewicht

474 g

Auflage

2000

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-528-03860-1

Herstelleradresse

Vieweg+Teubner Verlag
Abraham-Lincoln-Straße 46
65189 Wiesbaden
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • 1 Einführung.- 1.1 Historie.- 1.2 Stand der Technik und Ausblick.- 2 Wirkungsweise und Aufbau der Bauelemente.- 2.1 Dotierung und PN-Übergang.- 2.1.1 Bändermodell.- 2.1.2 Eigenleitung.- 2.1.3 Dotierung.- 2.1.4 Der pn-Übergang.- 2.2 Bipolarer Transistor (NPN).- 2.2.1 Stromgleichung des NPN-Transistors.- 2.2.2 Earlyspannung.- 2.2.3 Der Transistor im gesättigten Betrieb.- 2.2.4 Der Transistor im inversen Betrieb.- 2.2.5 Mechanischer Aufbau des Transistors.- 2.2.6 Ersatzschaltung des Transistors nach Gummel-Poon.- 2.2.7 Kleinsignalersatzschaltung.- 2.2.8 Abhängigkeit der Stromverstärkung vom Kollektorstrom.- 2.2.9 Temperaturabhängigkeit des Bipolartransistors.- 2.3 Bipolarer Transistor (PNP).- 2.3.1 Lateraler PNP-Transistor.- 2.3.2 Substrat-PNP-Transistor.- 2.4 Sperrschichtfeldeffekttransistor.- 2.4.1 Wirkungsweise.- 2.4.2 Ersatzschaltung des Sperrschichtfeldeffekttransistors.- 2.4.3 Kleinsignalersatzschaltung.- 2.5 MOS-Grenzschicht.- 2.6 MOS-Transistor.- 2.6.1 Wirkungsweise.- 2.6.2 Kleinsignalverhalten.- 2.6.3 Temperaturabhängigkeit der Steuerkennlinie.- 3 Herstellungsprozeß.- 3.1 Bipolartechnik.- 3.2 CMOS-Technik.- 3.3 BiCMOS-Technik.- 3.4 Layouttechniken.- 3.4.1 Realisierung von Widerständen.- 3.4.2 Realisierung von Kapazitäten.- 3.4.3 Bondpad und Schutzschaltung.- 3.4.4 Paarung von Bauelementen (Matching).- 3.4.5 Strombelastung.- 3.4.6 Design Rules.- 3.5 Der MOSIS-Service.- 3.6 Der Service von Europractice.- 4 Designwerkzeuge.- 4.1 Symbolische Analyse.- 4.1.1 Schaltplan und Netzliste.- 4.1.2 Symbolische Dimensionierung.- 4.1.3 Symbolische Analyse einer Verstärkerschaltung.- 4.1.4 Symbolische Schaltungsdimensionierung.- 4.2 Numerische Analyse.- 4.2.1 SPICE3 und seine Möglichkeiten.- 4.2.2 Schaltungsbeschreibung.- 4.2.3 Schaltungselemente und Modellbeschreibungen.- 4.2.4 Analysen und Auswertungen.- 4.2.5 Interaktiver Interpreter.- 4.2.6 Ermittlung von Modellparametern.- 4.2.7 Konvergenzprobleme.- 4.3 Layoutsystem (LASI).- 4.3.1 Installation.- 4.3.2 Arbeitsverzeichnisse.- 4.3.3 Das Systemmenü.- 4.3.4 Zellen.- 4.3.5 TLC Dateien.- 4.3.6 Umschalten zwischen den Menüs.- 4.3.7 Erzeugen einer Zelle.- 4.3.8 Steuerelemente.- 4.3.9 Hinzufügen von Objekten.- 4.3.10 Das Editieren von Objekten.- 4.3.11 Die Eingabe von Text.- 4.3.12 Besonderheiten der Linienzüge.- 4.3.13 Das Arbeiten mit Zellen.- 4.3.14 Sichern des Layouts.- 4.3.15 Oft auftretende Probleme.- 4.3.16 Anzeigeoptionen.- 4.3.17 Netzlistenerstellung mit LasiCkt.- 4.3.18 Überprüfen des Layouts (Design Rule Check).- 4.3.19 Konvertierung in das GDS-Format.- 5 Basiselemente.- 5.1 Stromquellen.- 5.1.1 Stromspiegel.- 5.1.2 Widlar-Stromquelle.- 5.1.3 Ausgangswiderstand des Stromspiegels.- 5.1.4 Wilson-Stromquelle.- 5.1.5 Betriebsspannungsunabhängige Stromquelle.- 5.2 Lastelemente.- 5.2.1 Widerstände.- 5.2.2 Stromquelle.- 5.3 Differenzverstärker.- 5.3.1 Grundschaltung.- 5.3.2 Eingangswiderstände.- 5.3.3 Offset.- 5.3.4 Aktive Last.- 5.3.5 Kompensation der Eingangskapazität.- 5.3.6 Basiskopplung.- 5.3.7 Reduktion des Eingangsruhestroms.- 5.4 Pegelverschiebung.- 5.4.1 Temperaturabhängige Pegelverschiebung.- 5.4.2 Temperaturunabhängige Pegelverschiebung.- 5.5 Leistungsstufen.- 5.5.1 Emitterfolger (Kollektorgrundschaltung).- 5.5.2 Emittergrundschaltung.- 5.5.3 Komplementärendstufe im B-Betrieb.- 5.5.4 Komplementärendstufe im AB-Betrieb.- 5.5.5 Überlastschutz.- 5.6 Spannungsreferenzen.- 5.6.1 Temperaturspannung als Referenz.- 5.6.2 Bandabstandsreferenz.- 5.7 Addierer und Subtrahierer.- 5.7.1 Addition und Subtraktion von Strömen.- 5.7.2 Addition und Subtraktion von Spannungen.- 5.8 Multiplizierer.- 5.8.1 Differenzverstärker mit gesteuerter Stromquelle.- 5.8.2 Die Gilbert-Zelle.- 5.8.3 Linearisierung des Multiplizierers.- 5.9 Oszillatoren.- 5.9.1 Ringoszillator.- 5.9.2 Astabiler Multivibrator.- 6 Komplexere Funktionen.- 6.1 Operationsverstärker.- 6.1.1 Aufbau von Operationsverstärkern.- 6.1.2 Frequenzgangkompensation.- 6.2 Current Feedback Amplifier.- 6.3 Transconductance-Verstärker (Leitwertverstärker).- 6.4 D/A-Wandler.- 6.5 A/D-Wandler.- A Anhang.- A.1 Design Rules.- A.2 CN20 SPICE-Parameter.- A.3 CD-ROM.- Sachwortverzeichnis.