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  • Produktbild: Polarization Effects in Semiconductors
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Polarization Effects in Semiconductors From Ab Initio Theory to Device Applications

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

10.12.2007

Abbildungen

XIV, 515 p.

Herausgeber

Colin Wood + weitere

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

515

Maße (L/B/H)

24,1/16/3,3 cm

Gewicht

906 g

Auflage

2008

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-387-36831-3

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Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

10.12.2007

Abbildungen

XIV, 515 p.

Herausgeber

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

515

Maße (L/B/H)

24,1/16/3,3 cm

Gewicht

906 g

Auflage

2008

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-387-36831-3

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Theoretical Approach to Polarization Effects in Semiconductors.- Polarization Induced Effects in GaN-based Heterostructures and Novel Sensors.- Lateral and Vertical Charge Transport in Polar Nitride Heterostructures.- Polarization Effects on Low-Field Transport & Mobility in III-V Nitride HEMTs.- Local Polarization Effects in Nitride Heterostructures and Devices.- Polarization in Wide Bandgap Semiconductors and their Characterization by Scanning Probe Microscopy.- Functionally Graded Polar Heterostuctures: New Materials for Multifunctional Devices.- Polarization in GaN Based Heterostructures and Heterojunction Field Effect Transistors (HFETs).- Effects of Polarization in Optoelectronic Quantum Structures.