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  • Produktbild: MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide
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MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide

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192,99 € UVP 219,99 €

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

30.09.1999

Abbildungen

XVI, 462 p.

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

462

Maße (L/B/H)

24,1/16/3,1 cm

Gewicht

881 g

Auflage

2002

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-7923-8575-2

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Erscheinungsdatum

30.09.1999

Abbildungen

XVI, 462 p.

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

462

Maße (L/B/H)

24,1/16/3,1 cm

Gewicht

881 g

Auflage

2002

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-7923-8575-2

Herstelleradresse

Springer-Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Significant Physical Effects In Modern MOSFETs.- Threshold Voltage Model.- I–V Model.- Capacitance Model.- Substrate Current Model.- Noise Model.- Source/Drain Parasitics Model.- Temperature Dependence Model.- Non-quasi Static (NQS) Model.- BSIM3v3 Model Implementation.- Model Testing.- Model Parameter Extraction.- RF and Other Compact Model Applications.