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Technische Informatik 1 Grundlagen der digitalen Elektronik

Aus der Reihe Springer-Lehrbuch

67,50 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

10.09.2003

Abbildungen

5., neubearb. und erg. XIV, mit 238 Abbildungen 23,5 cm

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

345

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/2 cm

Gewicht

546 g

Auflage

5. Auflage 2004

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-40418-7

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

10.09.2003

Abbildungen

5., neubearb. und erg. XIV, mit 238 Abbildungen 23,5 cm

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

345

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/2 cm

Gewicht

546 g

Auflage

5. Auflage 2004

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-540-40418-7

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

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  • 1. Grundlagen der Elektrotechnik.- 1.1 Historischer Überblick.- 1.2 Elektrische Ladungen und elektrisches Feld.- 1.2.1 Elektrische Ladungen.- 1.2.2 Das Coulombsehe Gesetz.- 1.2.3 Das elektrische Feld und der elektrische Fluss.- 1.2.4 Elektrische Spannung und Potential.- 1.2.5 Der Kondensator.- 1.3 Gleichstromkreis.- 1.3.1 Stromstärke.- 1.3.2 Das Ohmsche Gesetz.- 1.3.3 Arbeit und Leistung des elektrischen Stromes.- 1.3.4 Kirchhoffsche Sätze.- 1.3.5 Quellenspannung und Klemmenspannung.- 1.4 Elektromagnetisches Feld.- 1.4.1 Magnetisches Feld elektrischer Ströme.- 1.4.2 Das Durchflutungsgesetz.- 1.4.3 Kraftwirkung magnetischer Felder auf stromdurchflossene Leiter.- 1.4.4 Lorentzkraft und Halleffekt.- 1.4.5 Elektromagnetische Induktion.- 1.4.6 Materie im Magnetfeld.- 1.4.7 Datenspeicher auf magnetischer Basis.- 1.5 Wechselstromkreis.- 1.5.1 Wechselspannung und Wechselstrom.- 1.5.2 Kennwerte von Wechselgrößen.- 1.6 Schaltvorgänge.- 1.6.1 Schaltverhalten an einem Widerstand.- 1.6.2 Schaltverhalten an einer Kapazität.- 1.6.3 Schaltverhalten an einer Induktivität.- 1.7 Datenübertragung.- 1.7.1 Physikalische Darstellung.- 1.7.2 Übertragungsmedien.- 2. Halbleiterbauelemente.- 2.1 Halbleiterphysik.- 2.1.1 Aufbau der Materie.- 2.1.2 Energiebändermodell.- 2.1.3 Kristallstruktur von Germanium und Silizium.- 2.1.4 Eigenleitfähigkeit.- 2.1.5 Störstellenleitfähigkeit (Dotierte Halbleiter).- 2.1.6 pn-Übergang.- 2.2 Halbleiterdioden.- 2.2.1 pn-Übergang mit äußerer Spannung.- 2.2.2 Kennlinie des pn-ßbergangs.- 2.2.3 Halbleiterdioden mit besonderen Eigenschaften.- 2.3 Optoelektronische Halbleiterbauelemente.- 2.3.1 Kenngrößen der optischen Strahlung.- 2.3.2 Strahlungsempfänger.- 2.3.3 Strahlungssender.- 2.4 Bipolartransistoren.- 2.4.1 Aufbau und Funktionsprinzip.- 2.4.2 Kennlinienfelder.- 2.4.3 Verstärkerschaltung und Arbeitspunkt.- 2.5 Feldeffekttransistoren.- 2.5.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistor (FET).- 2.5.2 Isolierschicht-Feldeffekttransistoren (MOSFET).- 3. Elektronische Verknüpfungsglieder.- 3.1 Elektronische Schalter.- 3.1.1 Der ideale Schalter.- 3.1.2 Modell eines realen Schalters.- 3.1.3 Bipolartransistor als Schalter.- 3.1.4 Unipolartransistor als Schalter.- 3.1.5 Kenngrößen.- 3.2 Verknüpfungsglicder mit bipolaren Transistoren.- 3.2.1 TTL-Schaltkreise.- 3.2.2 ECL-Schaltkreise.- 3.3 Verknüpfungsglieder mit unipolaren Transistoren.- 3.3.1 PMOS Schaltkreise.- 3.3.2 NMOS Schaltkreise.- 3.3.3 CMOS-Schaltkreise.- 4. Schaltnetze.- 4.1 Schaltalgebra.- 4.1.1 Definition der Booleschen Algebra.- 4.1.2 Schaltalgebra - ein Modell der Booleschen Algebra.- 4.2 Schaltfunktionen.- 4.2.1 Definitionen.- 4.2.2 Darstellung.- 4.2.3 Minimierung von Schaltfunktionen.- 4.3 Analyse von Schaltnetzen.- 4.4 Synthese von Schaltnetzen.- 4.5 Code-Umsetzer.- 4.5.1 Schaltnetzentwurf für die 8421-BCD zu 7-Segment Umsetzung.- 4.5.2 Schaltnetzentwurf für die 8421-Dual-Code zu Gray-Code Umsetzung.- 4.5.3 Schaltnetzentwurf für einen Adressdecodierer.- 4.6 Addierglieder.- 4.6.1 Halbaddierer.- 4.6.2 Volladdierer.- 4.6.3 Paralleladdierer.- 4.7 Komparatoren.- 4.8 Multiplexer.- 4.9 Arithmetik-Logik Einheit (ALU).- 4.9.1 Zahlendarstellung und Zweierkomplement.- 4.9.2 Addierer/Subtrahierer.- 4.10 Schaltnetze mit programmierbaren Bausteinen.- 4.10.1 ROM.- 4.10.2 PROM, EPROM.- 4.10.3 PAL.- 4.10.4 PLA.- 4.11 Laufzeiteffekte in Schaltnetzen.- 5. Speicherglieder.- 5.1 Funktionsprinzip einer bistabilen Kippschaltung.- 5.2 Funktionsprinzip von RAM-Speicherzellen.- 5.3 RS-Kippglied.- 5.3.1 Kippglied aus NOR-Schaltgliedern.- 5.3.2 Kippglied aus NAND-Schaltgliedern.- 5.4 RS-Kippglied mit Zustandssteuerung.- 5.5 D-Kippglied mit Zustandssteuerung.- 5.6 RS-Kippglied mit Zwei-Zustandssteuerung.- 5.7 JK-Master-Slave-Kippglied.- 5.8 Master-Slave T-Kippglied.- 5.9 Kippglieder mit Taktflankensteuerung.- 5.9.1 Taktflankensteuerung durch RC-Differenzierglieder.- 5.9.2 Taktflankensteuerung realisiert durch Verknüpfungsschaltungen.- 5.10 Zusammenfassung.- 6. Schaltwerke.- 6.1 Automaten.- 6.2 Funktionelle Beschreibung von Schaltwerken.- 6.3 Analyse von Schaltwerken.- 6.3.1 Beispiel 1.- 6.3.2 Beispiel 2.- 6.4 Synthese von Schaltwerken.- 6.4.1 Beispiel 1: Umschaltbarer Zähler.- 6.4.2 Beispiel 2: Schieberegister als Schaltwerk.- 6.5 Realisierung von Schaltwerken.- 6.5.1 Schaltwerke mit diskreten Baugliedern.- 6.5.2 Schaltwerke mit programmierbaren Logikbausteinen.- 6.6 Vom Addierer zum Prozessor.- 6.6.1 4-Bit Paralleladdierer.- 6.6.2 Arithmetisch-Logische Einheit mit Registern (RALU).- 6.6.3 RALU mit Eingabeeinheit, Ausgabeeinheit und Datenbus.- 6.6.4 RALU mit Leitwerk.- 6.6.5 RALU und Leitwerk mit RAM.- 6.6.6 Der Miniprozessor.- 7. Integrierte Schaltungen.- 7.1 Schaltungsentwurf.- 7.1.1 Entwurfsebenen.- 7.1.2 Darstellung.- 7.1.3 Werkzeuge und Entwurfsschritte.- 7.1.4 ASICs.- 7.2 Herstellung.- 7.2.1 Herstellung der Siliziumscheibe (Wafer).- 7.2.2 Herstellung der Masken.- 7.2.3 Scheibenprozesse.- 7.2.4 Test.- 7.2.5 Montage.- Abkürzungen.- Schaltzeichen für binäre Verknüpfungsglieder.